<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="doi">10.24151/1561-5405-2026-31-4-418-426</article-id><article-id pub-id-type="risc">TFPOMB</article-id><article-id pub-id-type="udk">621.92</article-id><article-categories><subj-group><subject>Технологические процессы</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Design of the diamond tool for machining silicon carbide</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Разработка алмазного инструмента для обработки карбида кремния</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Исаев Антон Алексеевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Исаев</surname><given-names>Антон Алексеевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Isaev</surname><given-names>Anton A.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Anton A. Isaev</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Бирюков Григорий Михайлович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Бирюков</surname><given-names>Григорий Михайлович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Biryukov</surname><given-names>Grigory M.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Grigory M. Biryukov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">MIREA – Russian Technological University, Russia, 107076, Moscow, Stromynka st., 20</aff></contrib-group><pub-date iso-8601-date="2026-08-18" date-type="pub" publication-format="electronic"><day>18</day><month>08</month><year>2026</year></pub-date><volume>Том. 31 №4</volume><fpage>418</fpage><lpage>426</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/en/issues/Том 31 №4/razrabotka_almaznogo_instrumenta_dlya_obrabotki_karbida_kremniya/</self-uri><self-uri content-type="pdf">http://ivuz-e.ru#</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>High-precision machining of silicon carbide SiC is complicated and requires a high flow of abrasive, usually diamond tool. The design results of the TT (Thermostable Tool) diamond tool for SiC machining were presented in this work. To increase the organic bonded diamond tool efficiency, the authors used a thermally conductive polymer composite with 5–10 W/mK conductivity as a binder. Fine carbon was used to improve heat dissipation fr om the area wh ere tool contacts with the machined material. A tool was manufactured and tested using diamond powders with a grain size of 200–2 µm. According to testing results, the diamond tool with a new TT binder (with 100–10 mcm grain size) and modified TT5M binder (with 5 mcm grain size) in rough and finish grinding has proven to surpass loose abrasive in the form of diamond suspensions and pastes and traditional bonded diamond tools in terms of material removal rate and machining quality. The tool ensures the lowest depth of the disrupted fissured layer and roughness reduction of the treated surface. Thus, it is possible to minimize the time of subsequent polishing in finish grinding. The designed bonded diamond tool based on the organic TT binder can be effectively used in the full circle SiC machining in mass production.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Карбид кремния SiC применяется в силовой, высокочастотной и радиационно стойкой электронике при изготовлении, например, высокоточных оптических элементов в астрофизических зеркалах и телескопах, а также отдельных механических деталей и узлов с повышенной прочностью и износостойкостью. Высокоточная обработка SiC требует большого расхода абразивного инструмента, как правило алмазного, и существенно затруднена. В работе представлены результаты разработки алмазного инструмента &amp;#40;Thermostable Tool, TT&amp;#41; для обработки SiC. Для повышения эффективности алмазного инструмента на органической связке в качестве связующего использован теплопроводный полимерный композит с теплопроводностью 5–10 Вт/мК и мелкодисперсный углерод для улучшения условий теплоотвода из зоны контакта инструмента с обрабатываемым материалом. Изготовлен и исследован инструмент с применением алмазных порошков зернистостью 200–2 мкм. Полученные результаты испытаний показали, что разработанный алмазный инструмент со связкой ТТ &amp;#40;зернистостью 100–10 мкм&amp;#41; и модифицированной связкой ТТ5М &amp;#40;зернистостью 5 мкм&amp;#41; на операциях предварительного грубого и финишного шлифования превосходит свободный абразив в виде алмазных суспензий и паст, а также известные типы традиционного связанного алмазного инструмента как по скорости съема материала, так и по качеству обработки. Установлено, что инструмент обеспечивает наименьшую глубину нарушенного трещиноватого слоя и снижение шероховатости обработанной поверхности. Это позволяет на операции финишного шлифования сократить время последующего полирования до минимума. Связанный алмазный инструмент на органической связке ТТ может быть эффективно использован в полном цикле обработки SiC для массового производства изделий.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>silicon carbide SiC</kwd><kwd>grinding</kwd><kwd>bonded diamond tool</kwd><kwd>loose abrasive</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>silicon carbide SiC</kwd><kwd>grinding</kwd><kwd>bonded diamond tool</kwd><kwd>loose abrasive</kwd></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Kimoto T., Cooper J. A. Fundamentals of silicon carbide technology: Growth, characterization, devices and applications. Singapore: Wiley, 2014. xiv, 538 p. https://doi.org/10.1002/9781118313534</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Silicon carbide semiconductor market size &amp;amp; share, by product type (SiC power devices, SiC power modules, SiC power discrete devices), application (automotive, aerospace, aerospace and defense), wafer size (2-inch, 4-inch, 6-inch and above), – growth trends, regional insights (U.S., Japan, South Korea, UK, Germany), competitive positioning, global forecast report 2025–2034. Fundamental Business Insights. Available at: https://www.fundamentalbusinessinsights.com/industry-report/silicon-carbide-semiconductor-market-339... (accessed: 24.04.2026).</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Lapedus M. SiC demand growing faster than supply. Semiconductor Engineering. 23.05.2019. Available at: https://semiengineering.com/sic-demand-growing-faster-than-supply/ (accessed: 24.04.2026).</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Ивенин С. В. Обработка пластин монокристаллического карбида кремния. Вестник Мордовского университета. 2015;25(4):37–50. https://doi.org/10.15507/0236-2910.025.201504.037. EDN: VKAAVR.</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Ivenin S. V. Monocrystalline silicon carbide wafers processing. Vestnik Mordovskogo universiteta = Mordovia University Bulletin. 2015;25(4):37–50. (In Russ.). https://doi.org/10.15507/0236-2910.025.201504.037</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Трофимов А. А. Режимы шлифования и полирования пластин из сапфира и карбида кремния, содержащих СВЧ монолитные интегральные схемы. Прикладная физика. 2017;(3):89–95. EDN: YTYNYP.</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>8.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Trofimov A. A. Modes of lapping and polishing plates made of sapphire and silicon carbide containing microwave monolithic integrated circuits. Prikladnaya fizika = Applied Physics. 2017;(3):89–95. (In Russ.).</mixed-citation></ref><ref id="B8"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Li Z., Gao S., Kang R., Li H., Guo X. A comparative study of lapping and grinding induced surface/subsurface damage of silicon wafers and corresponding polishing efficiency. Int. J. Abras. Technol. 2020;10(2):122–133. https://doi.org/10.1504/IJAT.2020.109872</mixed-citation></ref><ref id="B9"><label>7.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Кондратенко В. С. Алмазная обработка материалов: монография. М.: Машиностроение; 2011. 190 с.</mixed-citation></ref><ref id="B10"><label>11.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Kondratenko V. S. Diamond Machining of Materials: monograph. Moscow: Mashinostroenie; 2011. 191 p. (In Russ.).</mixed-citation></ref><ref id="B11"><label>8.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Marinescu I., Rowe B., Dimitrov B., Inasaki I. Tribology of abrasive machining processes. J. Manuf. Sci. Eng. 2004;126(4): 859. https://doi.org/10.1115/1.1819313</mixed-citation></ref><ref id="B12"><label>9.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Debao Y., Fei Q., Jinglong S., Zhonglang W., Liang T. Subsurface damage distribution of ground silicon wafers. In: 2014 15th International Conference on Electronic Packaging Technology (ICEPT). Chtngdu: IEEE; 2014, pp. 871–873. https://doi.org/10.1109/ICEPT.2014.6922786</mixed-citation></ref><ref id="B13"><label>10.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Kondratenko V. S. High-efficiency materials-processing technology based on new types of diamond tools. Glass Ceram. 2018;75(5-6):202–205. https://doi.org/10.1007/s10717-018-0055-0</mixed-citation></ref><ref id="B14"><label>11.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Konneh M. Precision surface grinding of silicon carbide. International Journal of Engineering Materials and Manufacture. 2016;1(2):51–58. https://doi.org/10.26776/ijemm.01.02.2016.02</mixed-citation></ref><ref id="B15"><label>12.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Kondratenko V. S., Kadomkin V. V. Calculation of thermal processes in a bonded diamond tool during grinding of glass and other materials. Glass and Ceramics. 2019;75(11-12):428–434. https://doi.org/10.1007/s10717-019-00105-6</mixed-citation></ref><ref id="B16"><label>13.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Кондратенко В. С., Кудж С. А., Кадомкин В. В., Ващенко О. А. Влияние теплофизических процессов в связанном алмазном инструменте на параметры обработки оптических материалов. Оптический журнал. 2020;87(5):81–88. https://doi.org/10.17586/1023-5086-2020-87-05-81-88. EDN: YRAXCG.</mixed-citation></ref><ref id="B17"><label>18.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Kondratenko V. S., Kudzh S. A., Kadomkin V. V., Vashchenko O. A. Influence of thermophysical processes in bonded diamond tools on the processing parameters of optical materials. J. Opt. Technol. 2020;87(5):313–317. https://doi.org/10.1364/JOT.87.000313</mixed-citation></ref><ref id="B18"><label>14.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Sahoo B., Patel P., Nanda B. P. Carbon black: A thermally conductive reinforcement for epoxy based composite. Bull. Mater. Sci. 2024;47:260. https://doi.org/10.1007/s12034-024-03344-8</mixed-citation></ref><ref id="B19"><label>15.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Кондратенко В. С., Исаев А. А., Кобыш А. Н., Бирюков Г. М., Бородынкин И. И., Тамбовский А. Д., Семёнов А. П. Разработка связанного алмазного инструмента для обработки карбида кремния. In: Оптические технологии, материалы и системы (Оптотех – 2024): Междунар. науч.-техн. конф. (Москва, 02–08 дек. 2024 г.). М.: МИРЭА – Российский технологический университет; 2024, с. 158–163. EDN: CVICDD.</mixed-citation></ref><ref id="B20"><label>21.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Kondratenko V. S., Isaev A. A., Kobysh A. N., Biryukov G. M., Borodynkin I. I., Tambovskiy A. D., Semenov A. P. Development of bonded diamond tools for silicon carbide processing. In: Opticheskiye tekhnologii, materialy i sistemy (Optotekh – 2024): International sci.-tech. conf. (Moscow, Dec. 02–08, 2024). Moscow: MIREA – Russian Technological University; 2024, pp. 158–163. (In Russ.).</mixed-citation></ref><ref id="B21"><label>16.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Bainpol Auto: fully automatic grinder/polisher. Machine Tools. Available at: https://static.machinetools.com/uploads/2818529/Bainpol_Auto.pdf (accessed: 29.07.2026).</mixed-citation></ref><ref id="B22"><label>17.</label><mixed-citation xml:lang="ru">ISO 25178-604:2025. Geometrical product specifications (GPS) – Surface texture: Areal. Pt. 604: Design and characteristics of non-contact (coherence scanning interferometry) instruments. Ver. 2. ISO. Available at: https://www.iso.org/ru/standard/79676.html (accessed: 27.04.2026).</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
